Optische Sensoren - Reflektierend - Analogausgang

OPR5005

OPR5005

Teilbestand: 21984

Erfassungsabstand: 0.050" (1.27mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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OPB744WZ

OPB744WZ

Teilbestand: 18838

Erfassungsabstand: 0.150" (3.81mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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OPB608R

OPB608R

Teilbestand: 47308

Erfassungsabstand: 0.050" (1.27mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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OPB746WZ

OPB746WZ

Teilbestand: 4366

Erfassungsabstand: 0.300" (7.62mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Ausgabetyp: Transistor, Base-Emitter Resistor,

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OPB704

OPB704

Teilbestand: 30593

Erfassungsabstand: 0.149" (3.8mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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OPB70DWZ

OPB70DWZ

Teilbestand: 16552

Erfassungsabstand: 0.150" (3.81mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Ausgabetyp: Transistor,

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OPB607C

OPB607C

Teilbestand: 65767

Erfassungsabstand: 0.050" (1.27mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 125mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Photodarlington,

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OPB730F

OPB730F

Teilbestand: 9297

Erfassungsabstand: 0.250" (6.35mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Photodarlington,

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OPB705WZ

OPB705WZ

Teilbestand: 21773

Erfassungsabstand: 0.150" (3.81mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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OPB732W

OPB732W

Teilbestand: 2761

Erfassungsabstand: 3" (76.2mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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OPB606B

OPB606B

Teilbestand: 71504

Erfassungsabstand: 0.050" (1.27mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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OPB609GU

OPB609GU

Teilbestand: 2766

Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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OPB742WZ

OPB742WZ

Teilbestand: 21355

Erfassungsabstand: 0.150" (3.81mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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OPB741

OPB741

Teilbestand: 31506

Erfassungsabstand: 0.150" (3.81mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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OPB744

OPB744

Teilbestand: 27479

Erfassungsabstand: 0.150" (3.81mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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OPB700ALZ

OPB700ALZ

Teilbestand: 8398

Erfassungsabstand: 0.200" (5.08mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 24V, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 100mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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OPB755T

OPB755T

Teilbestand: 2758

Erfassungsabstand: 0.220" (5.59mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 24V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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OPB710

OPB710

Teilbestand: 9045

Erfassungsabstand: 0.250" (6.35mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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