Optische Sensoren - Fotounterbrecher - Schlitztyp

Zuhause
Optische Sensoren - Fotounterbrecher - Schlitztyp

Vishay Semiconductor Opto Division

TCUT1800X01

Teilbestand: 4766

Erfassungsabstand: 0.118" (3mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 25mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Opto Division

TCST1230

Teilbestand: 60074

Erfassungsabstand: 0.110" (2.8mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 60mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Opto Division

TCUT1600X01

Teilbestand: 88439

Erfassungsabstand: 0.118" (3mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 25mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Opto Division

TCPT1600X01

Teilbestand: 91321

Erfassungsabstand: 0.118" (3mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 25mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Opto Division

TCST2202

Teilbestand: 39429

Erfassungsabstand: 0.122" (3.1mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 60mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Opto Division

TCPT1300X01

Teilbestand: 110985

Erfassungsabstand: 0.118" (3mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 25mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Opto Division

TCST1300

Teilbestand: 35799

Erfassungsabstand: 3.1mm, Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 60mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500µA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Opto Division

TCUT1350X01

Teilbestand: 99652

Erfassungsabstand: 0.118" (3mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 25mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Opto Division

TCUT1630X01

Teilbestand: 4829

Erfassungsabstand: 0.118" (3mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 25mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Opto Division

TCST2103

Teilbestand: 39418

Erfassungsabstand: 3.1mm, Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 60mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Opto Division

TCST1202

Teilbestand: 45781

Erfassungsabstand: 0.122" (3.1mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 60mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Opto Division

TCST1030

Teilbestand: 62621

Erfassungsabstand: 0.122" (3.1mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 60mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Opto Division

TCST5250

Teilbestand: 40523

Erfassungsabstand: 0.106" (2.7mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 60mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Opto Division

TCST2300

Teilbestand: 35047

Erfassungsabstand: 0.122" (3.1mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 60mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Opto Division

TCPT1350X01

Teilbestand: 109658

Erfassungsabstand: 0.118" (3mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 15mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Opto Division

TCST1103

Teilbestand: 47579

Erfassungsabstand: 0.122" (3.1mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 60mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Opto Division

TCUT1300X01

Teilbestand: 99768

Erfassungsabstand: 0.118" (3mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 25mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V,

Wunschzettel

17