Erfassungsabstand: 0.157" (4mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 32V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.079" ~ 0.984" (2mm ~ 25mm) ADJ, Erfassungsmethode: Reflective, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 100mA, Ausgabetyp: PIN Photodiode,
Erfassungsabstand: 0.02" (0.5mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 100mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.591" (15mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 60mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.394" ~ 0.787" (10mm ~ 20mm) ADJ, Erfassungsmethode: Reflective, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: PIN Photodiode,
Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 32V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
