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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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SI7104DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7104DN-T1-E3

Teilbestand: 70460

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.7 mOhm @ 26.1A, 4.5V,

Wunschzettel
SI4368DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4368DY-T1-GE3

Teilbestand: 43176

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel
SIRA12BDP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA12BDP-T1-GE3

Teilbestand: 248

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.3 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel
SI3464DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3464DV-T1-GE3

Teilbestand: 171482

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V,

Wunschzettel
SI7880ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7880ADP-T1-GE3

Teilbestand: 33676

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel
SIRA90DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA90DP-T1-RE3

Teilbestand: 245

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 0.8 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel
SISS67DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS67DN-T1-GE3

Teilbestand: 244

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.5 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel
SI7230DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7230DN-T1-GE3

Teilbestand: 113255

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 14A, 10V,

Wunschzettel
SISA12ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISA12ADN-T1-GE3

Teilbestand: 187703

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.3 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel
SIRA14DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA14DP-T1-GE3

Teilbestand: 193041

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 58A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.1 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel
SIR166DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR166DP-T1-GE3

Teilbestand: 110153

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.2 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel
SIR670DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR670DP-T1-GE3

Teilbestand: 130549

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel
SIR165DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR165DP-T1-GE3

Teilbestand: 258

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.6 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel
SI7806ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7806ADN-T1-GE3

Teilbestand: 113283

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 14A, 10V,

Wunschzettel
IRFI830GPBF
Vishay Siliconix

IRFI830GPBF

Teilbestand: 37055

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.1A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.9A, 10V,

Wunschzettel
SIE808DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE808DF-T1-GE3

Teilbestand: 35066

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel
SISA01DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISA01DN-T1-GE3

Teilbestand: 265

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.9 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel
SI7390DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7390DP-T1-GE3

Teilbestand: 57373

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.5 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel
SI4838DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4838DY-T1-E3

Teilbestand: 52849

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 4.5V,

Wunschzettel
SI7862ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7862ADP-T1-GE3

Teilbestand: 30546

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 16V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 mOhm @ 29A, 4.5V,

Wunschzettel
SIRA00DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA00DP-T1-RE3

Teilbestand: 237

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel
SISS02DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

Teilbestand: 249

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 51A (Ta), 80A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.2 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel
SI7149ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7149ADP-T1-GE3

Teilbestand: 199708

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.2 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel
SIHA17N80E-E3
Vishay Siliconix

SIHA17N80E-E3

Teilbestand: 13653

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 290 mOhm @ 8.5A, 10V,

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SQM50P03-07_GE3
Vishay Siliconix

SQM50P03-07_GE3

Teilbestand: 30993

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7 mOhm @ 30A, 10V,

Wunschzettel
SIR182DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR182DP-T1-RE3

Teilbestand: 255

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.8 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel
SIR140DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR140DP-T1-RE3

Teilbestand: 261

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 0.67 mOhm @ 20A, 10V,

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SI3442BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3442BDV-T1-GE3

Teilbestand: 122281

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 57 mOhm @ 4A, 4.5V,

Wunschzettel
SIR680DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR680DP-T1-RE3

Teilbestand: 66462

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.9 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel
SI4838DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4838DY-T1-GE3

Teilbestand: 44771

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 4.5V,

Wunschzettel
SIR180DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR180DP-T1-RE3

Teilbestand: 219

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 32.4A (Ta), 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.05 mOhm @ 10A, 10V,

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SIR108DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR108DP-T1-RE3

Teilbestand: 232

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12.4A (Ta), 45A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

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SIRA60DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA60DP-T1-GE3

Teilbestand: 111133

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 0.94 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel
SIS184DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS184DN-T1-GE3

Teilbestand: 251

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.8 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel
SIR606BDP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

Teilbestand: 296

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17.4 mOhm @ 10A, 10V,

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SIR668DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR668DP-T1-RE3

Teilbestand: 64154

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 95A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

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