Menu
DeutschDeutsch
RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

  • Zuhause
  •  
  • Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
SIS110DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS110DN-T1-GE3

Teilbestand: 212

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 54 mOhm @ 4A, 10V,

Wunschzettel
SIDR140DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIDR140DP-T1-GE3

Teilbestand: 270

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 79A (Ta), 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 0.67 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel
SIRA80DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA80DP-T1-RE3

Teilbestand: 291

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 0.62 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel
SI7155DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7155DP-T1-GE3

Teilbestand: 220

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.6 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel
SI8401DB-T1-E1
Vishay Siliconix

SI8401DB-T1-E1

Teilbestand: 139882

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 65 mOhm @ 1A, 4.5V,

Wunschzettel
SIR626DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR626DP-T1-RE3

Teilbestand: 81219

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel
SIR167DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR167DP-T1-GE3

Teilbestand: 225

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.5 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel
SIA413ADJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA413ADJ-T1-GE3

Teilbestand: 219

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 6.7A, 4.5V,

Wunschzettel
SIS106DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS106DN-T1-GE3

Teilbestand: 264

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.8A (Ta), 16A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18.5 mOhm @ 4A, 10V,

Wunschzettel
SI7137DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7137DP-T1-GE3

Teilbestand: 66464

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.95 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel
SI4408DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4408DY-T1-GE3

Teilbestand: 41762

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 mOhm @ 21A, 10V,

Wunschzettel
SI4423DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4423DY-T1-GE3

Teilbestand: 57367

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 mOhm @ 14A, 4.5V,

Wunschzettel
SISS42DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS42DN-T1-GE3

Teilbestand: 256

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.8A (Ta), 40.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14.4 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel
SI4431BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4431BDY-T1-GE3

Teilbestand: 148689

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 7.5A, 10V,

Wunschzettel
SIB417EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIB417EDK-T1-GE3

Teilbestand: 176135

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 58 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

Wunschzettel
SI4866DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4866DY-T1-GE3

Teilbestand: 69518

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.5 mOhm @ 17A, 4.5V,

Wunschzettel
SIDR392DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIDR392DP-T1-GE3

Teilbestand: 257

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 82A (Ta), 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 0.62 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel
SI4862DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4862DY-T1-E3

Teilbestand: 41807

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 16V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.3 mOhm @ 25A, 4.5V,

Wunschzettel
SI7454DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7454DP-T1-GE3

Teilbestand: 64945

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 34 mOhm @ 7.8A, 10V,

Wunschzettel
SIA110DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA110DJ-T1-GE3

Teilbestand: 258

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.4A (Ta), 12A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 55 mOhm @ 4A, 10V,

Wunschzettel
SI8401DB-T1-E3
Vishay Siliconix

SI8401DB-T1-E3

Teilbestand: 66637

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 65 mOhm @ 1A, 4.5V,

Wunschzettel
SI4436DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4436DY-T1-GE3

Teilbestand: 176138

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 36 mOhm @ 4.6A, 10V,

Wunschzettel
SI4864DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4864DY-T1-E3

Teilbestand: 32930

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 mOhm @ 25A, 4.5V,

Wunschzettel
SI7862ADP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7862ADP-T1-E3

Teilbestand: 30529

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 16V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 mOhm @ 29A, 4.5V,

Wunschzettel
SI7423DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7423DN-T1-E3

Teilbestand: 103399

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 11.7A, 10V,

Wunschzettel
SI4864DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4864DY-T1-GE3

Teilbestand: 32968

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 mOhm @ 25A, 4.5V,

Wunschzettel
SISS27ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS27ADN-T1-GE3

Teilbestand: 192126

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.1 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel
SISH129DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISH129DN-T1-GE3

Teilbestand: 261

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14.4A (Ta), 35A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.4 mOhm @ 14.4A, 10V,

Wunschzettel
SI7804DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7804DN-T1-GE3

Teilbestand: 132089

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18.5 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel
SI4413DDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4413DDY-T1-GE3

Teilbestand: 225

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.5 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel
SI1022R-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1022R-T1-GE3

Teilbestand: 149176

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 330mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.25 Ohm @ 500mA, 10V,

Wunschzettel
SI4413ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4413ADY-T1-GE3

Teilbestand: 57351

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 mOhm @ 13A, 10V,

Wunschzettel
SI7326DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7326DN-T1-E3

Teilbestand: 199704

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19.5 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel
SIA106DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA106DJ-T1-GE3

Teilbestand: 209

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18.5 mOhm @ 4A, 10V,

Wunschzettel
SI3460BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3460BDV-T1-GE3

Teilbestand: 199675

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V,

Wunschzettel
SI4442DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4442DY-T1-E3

Teilbestand: 44342

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 mOhm @ 22A, 10V,

Wunschzettel