Transistoren - FETs, MOSFETs - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

SIRA24DP-T1-GE3

Teilbestand: 188332

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

IRFU9020PBF

Teilbestand: 80861

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.9A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 280 mOhm @ 5.7A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI7465DP-T1-GE3

Teilbestand: 125217

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 64 mOhm @ 5A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI7812DN-T1-E3

Teilbestand: 73626

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 37 mOhm @ 7.2A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SIA431DJ-T1-GE3

Teilbestand: 180442

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 6.5A, 4.5V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI8416DB-T2-E1

Teilbestand: 130328

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

IRFR220TRRPBF

Teilbestand: 104776

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 800 mOhm @ 2.9A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

IRFR220TRLPBF

Teilbestand: 163122

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 800 mOhm @ 2.9A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SIHD14N60E-GE3

Teilbestand: 28965

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 309 mOhm @ 7A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SIB417AEDK-T1-GE3

Teilbestand: 104428

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 32 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI8413DB-T1-E1

Teilbestand: 118880

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 48 mOhm @ 1A, 4.5V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI7804DN-T1-E3

Teilbestand: 132166

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18.5 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SQ1470EH-T1-GE3

Teilbestand: 1239

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SIRA72DP-T1-GE3

Teilbestand: 137056

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

IRFR9014TRLPBF

Teilbestand: 108095

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.1A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 500 mOhm @ 3.1A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SIS468DN-T1-GE3

Teilbestand: 125215

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19.5 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI7818DN-T1-GE3

Teilbestand: 99113

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 135 mOhm @ 3.4A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SQJ454EP-T1_GE3

Teilbestand: 152475

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 145 mOhm @ 7.5A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SQS482EN-T1_GE3

Teilbestand: 191332

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.5 mOhm @ 16.4A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SIHJ7N65E-T1-GE3

Teilbestand: 59620

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.9A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 598 mOhm @ 3.5A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SIR864DP-T1-GE3

Teilbestand: 153398

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.6 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SIHU4N80E-GE3

Teilbestand: 9907

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.3A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.27 Ohm @ 2A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

IRL510PBF

Teilbestand: 54692

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.6A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 540 mOhm @ 3.4A, 5V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI7810DN-T1-GE3

Teilbestand: 147267

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 62 mOhm @ 5.4A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI7880ADP-T1-E3

Teilbestand: 33678

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

IRFR014TRLPBF

Teilbestand: 103882

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.7A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SIUD403ED-T1-GE3

Teilbestand: 174576

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 500mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.25 Ohm @ 300mA, 4.5V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SQA403EJ-T1_GE3

Teilbestand: 9904

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 5A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI5459DU-T1-GE3

Teilbestand: 162995

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 52 mOhm @ 6.7A, 4.5V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SIA408DJ-T1-GE3

Teilbestand: 182914

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 36 mOhm @ 5.3A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI3424BDV-T1-GE3

Teilbestand: 167116

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI2316BDS-T1-E3

Teilbestand: 130654

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 3.9A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SUD17N25-165-E3

Teilbestand: 1435

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 165 mOhm @ 14A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SIDR870ADP-T1-GE3

Teilbestand: 9968

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 95A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI7308DN-T1-E3

Teilbestand: 139856

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 58 mOhm @ 5.4A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

TN2404K-T1-GE3

Teilbestand: 199710

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 240V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 300mA, 10V,

Wunschzettel