Menu
DeutschDeutsch
RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

  • Zuhause
  •  
  • Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
SI4486EY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4486EY-T1-GE3

Teilbestand: 1024

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 7.9A, 10V,

Wunschzettel
SUP40N10-30-GE3
Vishay Siliconix

SUP40N10-30-GE3

Teilbestand: 1103

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 38.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel
SIE800DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE800DF-T1-GE3

Teilbestand: 1135

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.2 mOhm @ 11A, 10V,

Wunschzettel
SI7186DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7186DP-T1-E3

Teilbestand: 1034

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 32A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12.5 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel
SI3493DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3493DV-T1-GE3

Teilbestand: 1034

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 27 mOhm @ 7A, 4.5V,

Wunschzettel
SI5461EDC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5461EDC-T1-GE3

Teilbestand: 1072

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 4.5V,

Wunschzettel
SI3483DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3483DV-T1-GE3

Teilbestand: 1052

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 6.2A, 10V,

Wunschzettel
SI5449DC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5449DC-T1-E3

Teilbestand: 1089

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.1A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 85 mOhm @ 3.1A, 4.5V,

Wunschzettel
SI5449DC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5449DC-T1-GE3

Teilbestand: 1085

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.1A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 85 mOhm @ 3.1A, 4.5V,

Wunschzettel
SIA406DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA406DJ-T1-GE3

Teilbestand: 163663

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19.8 mOhm @ 10.8A, 4.5V,

Wunschzettel
SI3456CDV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3456CDV-T1-E3

Teilbestand: 1028

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.7A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 34 mOhm @ 6.1A, 10V,

Wunschzettel
SIS414DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS414DN-T1-GE3

Teilbestand: 128723

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 10A, 4.5V,

Wunschzettel
SI5402BDC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5402BDC-T1-GE3

Teilbestand: 1007

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.9A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 4.9A, 10V,

Wunschzettel
SIE836DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE836DF-T1-GE3

Teilbestand: 1015

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18.3A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 4.1A, 10V,

Wunschzettel
SUP85N04-03-E3
Vishay Siliconix

SUP85N04-03-E3

Teilbestand: 1118

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 85A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 mOhm @ 30A, 10V,

Wunschzettel
SI1405BDH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1405BDH-T1-GE3

Teilbestand: 6167

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.6A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 112 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

Wunschzettel
SI1400DL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1400DL-T1-GE3

Teilbestand: 171269

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 1.7A, 4.5V,

Wunschzettel
SI4322DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4322DY-T1-GE3

Teilbestand: 1024

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.5 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel
IRF730ASTRRPBF
Vishay Siliconix

IRF730ASTRRPBF

Teilbestand: 1048

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 400V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

Wunschzettel
IRFR9020PBF
Vishay Siliconix

IRFR9020PBF

Teilbestand: 42366

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.9A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 280 mOhm @ 5.7A, 10V,

Wunschzettel
SI4409DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4409DY-T1-GE3

Teilbestand: 6141

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.3A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.2 Ohm @ 500mA, 10V,

Wunschzettel
SI2343DS-T1
Vishay Siliconix

SI2343DS-T1

Teilbestand: 930

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.1A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 53 mOhm @ 4A, 10V,

Wunschzettel
SI1402DH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1402DH-T1-GE3

Teilbestand: 999

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 77 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wunschzettel
IRF9630PBF
Vishay Siliconix

IRF9630PBF

Teilbestand: 56850

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 800 mOhm @ 3.9A, 10V,

Wunschzettel
SI1406DH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1406DH-T1-GE3

Teilbestand: 941

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.1A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 65 mOhm @ 3.9A, 4.5V,

Wunschzettel
SI4448DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4448DY-T1-GE3

Teilbestand: 1038

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 4.5V,

Wunschzettel
SI4438DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4438DY-T1-E3

Teilbestand: 1088

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 36A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel
SI7196DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7196DP-T1-E3

Teilbestand: 1059

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

Wunschzettel
SI7404DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7404DN-T1-GE3

Teilbestand: 1114

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 mOhm @ 13.3A, 10V,

Wunschzettel
SI4190DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4190DY-T1-GE3

Teilbestand: 1020

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.8 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel
SI4884BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4884BDY-T1-GE3

Teilbestand: 83639

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel
SI6413DQ-T1-E3
Vishay Siliconix

SI6413DQ-T1-E3

Teilbestand: 1051

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 8.8A, 4.5V,

Wunschzettel
SI5913DC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5913DC-T1-E3

Teilbestand: 184019

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 84 mOhm @ 3.7A, 10V,

Wunschzettel
SI5440DC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5440DC-T1-GE3

Teilbestand: 183838

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 9.1A, 10V,

Wunschzettel
SI3812DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3812DV-T1-GE3

Teilbestand: 1030

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

Wunschzettel
SUD50N03-09P-GE3
Vishay Siliconix

SUD50N03-09P-GE3

Teilbestand: 98662

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 63A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.5 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel