Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

Vishay Siliconix

SI8417DB-T2-E1

Teilbestand: 1090

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 1A, 4.5V,

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Vishay Siliconix

SI1413DH-T1-E3

Teilbestand: 1003

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 115 mOhm @ 2.9A, 4.5V,

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Vishay Siliconix

SI4354DY-T1-E3

Teilbestand: 1080

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16.5 mOhm @ 9.5A, 10V,

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Vishay Siliconix

SI7404DN-T1-E3

Teilbestand: 1084

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 mOhm @ 13.3A, 10V,

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Vishay Siliconix

SI7445DP-T1-E3

Teilbestand: 1090

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.7 mOhm @ 19A, 4.5V,

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SUP60N06-12P-E3

Vishay Siliconix

SUP60N06-12P-E3

Teilbestand: 6184

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 10V,

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SI1426DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1426DH-T1-GE3

Teilbestand: 953

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 75 mOhm @ 3.6A, 10V,

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SI4684DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4684DY-T1-GE3

Teilbestand: 1050

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.4 mOhm @ 16A, 10V,

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SI7356ADP-T1-E3

Vishay Siliconix

SI7356ADP-T1-E3

Teilbestand: 1121

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

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SI2331DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2331DS-T1-GE3

Teilbestand: 6108

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 48 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

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SI5461EDC-T1-E3

Vishay Siliconix

SI5461EDC-T1-E3

Teilbestand: 1084

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 4.5V,

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SI3447CDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3447CDV-T1-GE3

Teilbestand: 191534

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 36 mOhm @ 6.3A, 4.5V,

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SI3475DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3475DV-T1-GE3

Teilbestand: 6157

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 950mA (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.61 Ohm @ 900mA, 10V,

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SI7384DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7384DP-T1-GE3

Teilbestand: 77071

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.5 mOhm @ 18A, 10V,

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SI7447ADP-T1-E3

Vishay Siliconix

SI7447ADP-T1-E3

Teilbestand: 1097

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.5 mOhm @ 24A, 10V,

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SIE878DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIE878DF-T1-GE3

Teilbestand: 95820

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 45A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V,

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SI5475BDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5475BDC-T1-GE3

Teilbestand: 1058

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 5.6A, 4.5V,

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SI3867DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3867DV-T1-GE3

Teilbestand: 6158

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.9A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 51 mOhm @ 5.1A, 4.5V,

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SUD40N02-3M3P-E3

Vishay Siliconix

SUD40N02-3M3P-E3

Teilbestand: 1108

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 24.4A (Ta), 40A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.3 mOhm @ 20A, 10V,

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SI5857DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5857DU-T1-GE3

Teilbestand: 1081

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

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SUP85N10-10P-GE3

Vishay Siliconix

SUP85N10-10P-GE3

Teilbestand: 1092

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 85A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 20A, 10V,

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SI7457DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7457DP-T1-GE3

Teilbestand: 1130

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 28A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 7.9A, 10V,

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SI2335DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2335DS-T1-GE3

Teilbestand: 1016

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 51 mOhm @ 4A, 4.5V,

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SI8473EDB-T1-E1

Vishay Siliconix

SI8473EDB-T1-E1

Teilbestand: 130855

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 41 mOhm @ 1A, 4.5V,

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Vishay Siliconix

SI5475DC-T1-E3

Teilbestand: 1108

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 31 mOhm @ 5.5A, 4.5V,

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SI4320DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4320DY-T1-GE3

Teilbestand: 1025

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 10V,

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SIR874DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR874DP-T1-GE3

Teilbestand: 1065

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.4 mOhm @ 10A, 10V,

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Vishay Siliconix

SI7882DP-T1-E3

Teilbestand: 1122

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.5 mOhm @ 17A, 4.5V,

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SI4483EDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4483EDY-T1-GE3

Teilbestand: 1090

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.5 mOhm @ 14A, 10V,

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SI5411EDU-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5411EDU-T1-GE3

Teilbestand: 108425

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.2 mOhm @ 6A, 4.5V,

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SUD50P04-23-GE3

Vishay Siliconix

SUD50P04-23-GE3

Teilbestand: 1074

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.2A (Ta), 20A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 15A, 10V,

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Vishay Siliconix

SI1073X-T1-E3

Teilbestand: 1053

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 173 mOhm @ 980mA, 10V,

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SI3879DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3879DV-T1-GE3

Teilbestand: 1016

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

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SI7402DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7402DN-T1-GE3

Teilbestand: 1092

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 4.5V,

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SI5853DDC-T1-E3

Vishay Siliconix

SI5853DDC-T1-E3

Teilbestand: 197780

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 105 mOhm @ 2.9A, 4.5V,

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SI5482DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5482DU-T1-GE3

Teilbestand: 1111

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 7.4A, 10V,

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