Transistoren - FETs, MOSFETs - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

SUM70N04-07L-E3

Teilbestand: 1062

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.4 mOhm @ 30A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SUD50N025-06P-E3

Teilbestand: 1066

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 78A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.2 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SIR168DP-T1-GE3

Teilbestand: 166872

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.4 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI7136DP-T1-GE3

Teilbestand: 1053

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.2 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI2303BDS-T1

Teilbestand: 967

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.49A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 200 mOhm @ 1.7A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI3451DV-T1-GE3

Teilbestand: 6149

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 115 mOhm @ 2.6A, 4.5V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI7356ADP-T1-GE3

Teilbestand: 1062

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI1069X-T1-E3

Teilbestand: 6154

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 184 mOhm @ 940mA, 4.5V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI4682DY-T1-GE3

Teilbestand: 1101

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.4 mOhm @ 16A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

IRF9520SPBF

Teilbestand: 47328

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 600 mOhm @ 4.1A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI5473DC-T1-GE3

Teilbestand: 1037

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.9A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 27 mOhm @ 5.9A, 4.5V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI6443DQ-T1-GE3

Teilbestand: 999

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 8.8A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

IRFD9123PBF

Teilbestand: 1027

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 600 mOhm @ 600mA, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SUD50N03-16P-GE3

Teilbestand: 1085

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

IRF730ALPBF

Teilbestand: 998

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 400V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

TP0610K-T1

Teilbestand: 891

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 185mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI4412ADY-T1-GE3

Teilbestand: 1065

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 8A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI5433BDC-T1-GE3

Teilbestand: 974

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 37 mOhm @ 4.8A, 4.5V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI4831BDY-T1-GE3

Teilbestand: 1088

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.6A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI6465DQ-T1-E3

Teilbestand: 6174

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 8.8A, 4.5V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

IRFBG20PBF

Teilbestand: 45569

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.4A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 Ohm @ 840mA, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SIR408DP-T1-GE3

Teilbestand: 998

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.3 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI1051X-T1-E3

Teilbestand: 6197

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 122 mOhm @ 1.2A, 4.5V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI7703EDN-T1-GE3

Teilbestand: 988

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 48 mOhm @ 6.3A, 4.5V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI5475DC-T1-GE3

Teilbestand: 6199

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 31 mOhm @ 5.5A, 4.5V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI7621DN-T1-GE3

Teilbestand: 1042

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 3.9A, 4.5V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI3455ADV-T1-GE3

Teilbestand: 1073

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI3456CDV-T1-GE3

Teilbestand: 1063

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.7A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 34 mOhm @ 6.1A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI7380ADP-T1-E3

Teilbestand: 1122

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI4493DY-T1-GE3

Teilbestand: 1093

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.75 mOhm @ 14A, 4.5V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI4858DY-T1-GE3

Teilbestand: 1026

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.25 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SUP36N20-54P-E3

Teilbestand: 1060

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 36A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, 15V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 53 mOhm @ 20A, 15V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

IRFR430ATRRPBF

Teilbestand: 1027

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.7 Ohm @ 3A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI1039X-T1-GE3

Teilbestand: 928

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 870mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 165 mOhm @ 870mA, 4.5V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI1046R-T1-E3

Teilbestand: 1006

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 420 mOhm @ 606mA, 4.5V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SUD50P04-40P-T4-E3

Teilbestand: 1114

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), 8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 10V,

Wunschzettel