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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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SI7852DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7852DP-T1-E3

Teilbestand: 82416

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16.5 mOhm @ 10A, 10V,

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SI7852DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7852DP-T1-GE3

Teilbestand: 47290

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16.5 mOhm @ 10A, 10V,

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SI4425BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4425BDY-T1-E3

Teilbestand: 172331

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 11.4A, 10V,

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SQP50N06-09L_GE3
Vishay Siliconix

SQP50N06-09L_GE3

Teilbestand: 8092

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9 mOhm @ 20A, 10V,

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SIR880ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR880ADP-T1-GE3

Teilbestand: 82231

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.3 mOhm @ 20A, 10V,

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SQJ410EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ410EP-T1_GE3

Teilbestand: 8027

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 32A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.9 mOhm @ 10.3A, 10V,

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IRFL9014TRPBF
Vishay Siliconix

IRFL9014TRPBF

Teilbestand: 109733

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 500 mOhm @ 1.1A, 10V,

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SQM40022EM_GE3
Vishay Siliconix

SQM40022EM_GE3

Teilbestand: 8007

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.63 mOhm @ 35A, 10V,

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SQM10250E_GE3
Vishay Siliconix

SQM10250E_GE3

Teilbestand: 8102

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 65A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 15A, 10V,

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SQM60N06-15_GE3
Vishay Siliconix

SQM60N06-15_GE3

Teilbestand: 54775

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 56A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

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SQP25N15-52_GE3
Vishay Siliconix

SQP25N15-52_GE3

Teilbestand: 8033

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 52 mOhm @ 15A, 10V,

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SQJ469EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ469EP-T1_GE3

Teilbestand: 51907

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 32A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 10.2A, 10V,

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SI8808DB-T2-E1
Vishay Siliconix

SI8808DB-T2-E1

Teilbestand: 152807

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 95 mOhm @ 1A, 4.5V,

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SI2308BDS-T1-E3
Vishay Siliconix

SI2308BDS-T1-E3

Teilbestand: 104568

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 156 mOhm @ 1.9A, 10V,

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SQM40016EM_GE3
Vishay Siliconix

SQM40016EM_GE3

Teilbestand: 8077

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 250A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1 mOhm @ 40A, 10V,

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SI4456DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4456DY-T1-GE3

Teilbestand: 54802

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 33A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V,

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SIR846ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR846ADP-T1-RE3

Teilbestand: 7812

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.8 mOhm @ 20A, 10V,

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SI7328DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7328DN-T1-GE3

Teilbestand: 70522

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.6 mOhm @ 18.9A, 10V,

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SUD40N10-25-T4-E3
Vishay Siliconix

SUD40N10-25-T4-E3

Teilbestand: 44633

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 40A, 10V,

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SIJ482DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIJ482DP-T1-GE3

Teilbestand: 85036

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.2 mOhm @ 20A, 10V,

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SI7434ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SI7434ADP-T1-RE3

Teilbestand: 7901

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.7A (Ta), 12.3A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 3.7A, 10V,

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SIDR622DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIDR622DP-T1-GE3

Teilbestand: 8057

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 64.6A (Ta), 56.7A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17.7 mOhm @ 20A, 10V,

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SIR878ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR878ADP-T1-GE3

Teilbestand: 76105

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 15A, 10V,

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SIA427DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA427DJ-T1-GE3

Teilbestand: 184657

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 8.2A, 4.5V,

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SI7742DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7742DP-T1-GE3

Teilbestand: 91563

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

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SQ2303ES-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ2303ES-T1_GE3

Teilbestand: 166796

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 170 mOhm @ 1.8A, 10V,

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SIHA240N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHA240N60E-GE3

Teilbestand: 5819

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 240 mOhm @ 5.5A, 10V,

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SI7135DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7135DP-T1-GE3

Teilbestand: 68497

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.9 mOhm @ 20A, 10V,

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SI7720DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7720DN-T1-GE3

Teilbestand: 77144

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12.5 mOhm @ 10A, 10V,

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SIR880DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR880DP-T1-GE3

Teilbestand: 23751

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.9 mOhm @ 20A, 10V,

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SQJQ100E-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJQ100E-T1_GE3

Teilbestand: 54878

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.5 mOhm @ 20A, 10V,

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SIHD7N60ET4-GE3
Vishay Siliconix

SIHD7N60ET4-GE3

Teilbestand: 7819

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

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SIE874DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE874DF-T1-GE3

Teilbestand: 60977

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.17 mOhm @ 20A, 10V,

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SIR638ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR638ADP-T1-RE3

Teilbestand: 7890

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 0.88 mOhm @ 20A, 10V,

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SI3460BDV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3460BDV-T1-E3

Teilbestand: 111885

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V,

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SIR872ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR872ADP-T1-GE3

Teilbestand: 85046

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 53.7A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V,

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