Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

Zuhause
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

SIE822DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIE822DF-T1-GE3

Teilbestand: 51914

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.4 mOhm @ 18.3A, 10V,

Wunschzettel

SI4124DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4124DY-T1-GE3

Teilbestand: 73658

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 mOhm @ 14A, 10V,

Wunschzettel

SI7190ADP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SI7190ADP-T1-RE3

Teilbestand: 5803

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.3A (Ta), 14.4A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 102 mOhm @ 4.3A, 10V,

Wunschzettel

SQD40P10-40L_GE3

Vishay Siliconix

SQD40P10-40L_GE3

Teilbestand: 60955

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 38A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 8.2A, 10V,

Wunschzettel

SI3410DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3410DV-T1-GE3

Teilbestand: 156571

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19.5 mOhm @ 5A, 10V,

Wunschzettel

SI7336ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7336ADP-T1-GE3

Teilbestand: 110398

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel

SIR804DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR804DP-T1-GE3

Teilbestand: 53636

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.2 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel

SI7110DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7110DN-T1-GE3

Teilbestand: 70542

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.3 mOhm @ 21.1A, 10V,

Wunschzettel

SQP60N06-15_GE3

Vishay Siliconix

SQP60N06-15_GE3

Teilbestand: 7998

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 56A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

Wunschzettel

SQD50N04-4M5L_GE3

Vishay Siliconix

SQD50N04-4M5L_GE3

Teilbestand: 8005

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SIHA2N80E-GE3

Teilbestand: 7877

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.75 Ohm @ 1A, 10V,

Wunschzettel

SIHJ240N60E-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIHJ240N60E-T1-GE3

Teilbestand: 8086

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 240 mOhm @ 5.5A, 10V,

Wunschzettel

SQD50P04-09L_GE3

Vishay Siliconix

SQD50P04-09L_GE3

Teilbestand: 51976

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.4 mOhm @ 17A, 10V,

Wunschzettel

SQM40N10-30_GE3

Vishay Siliconix

SQM40N10-30_GE3

Teilbestand: 63899

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel

SIS443DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS443DN-T1-GE3

Teilbestand: 103467

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.7 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel

SIR640ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR640ADP-T1-GE3

Teilbestand: 79620

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 41.6A (Ta), 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel

SIHH11N60E-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIHH11N60E-T1-GE3

Teilbestand: 44430

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 339 mOhm @ 5.5A, 10V,

Wunschzettel

SIJ420DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIJ420DP-T1-GE3

Teilbestand: 80903

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.6 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

TN2404K-T1-E3

Teilbestand: 154551

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 240V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 300mA, 10V,

Wunschzettel

SQR40N10-25_GE3

Vishay Siliconix

SQR40N10-25_GE3

Teilbestand: 70517

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 40A, 10V,

Wunschzettel

SI5457DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5457DC-T1-GE3

Teilbestand: 181431

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 36 mOhm @ 4.9A, 4.5V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SQM40010EL_GE3

Teilbestand: 44193

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 mOhm @ 30A, 10V,

Wunschzettel

SQD50P06-15L_GE3

Vishay Siliconix

SQD50P06-15L_GE3

Teilbestand: 51969

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15.5 mOhm @ 17A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI4124DY-T1-E3

Teilbestand: 73664

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 mOhm @ 14A, 10V,

Wunschzettel

SQD50P08-28_GE3

Vishay Siliconix

SQD50P08-28_GE3

Teilbestand: 7970

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 48A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 12.5A, 10V,

Wunschzettel

SQ2362ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ2362ES-T1_GE3

Teilbestand: 123435

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.3A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 95 mOhm @ 4.5A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SUM60N10-17-E3

Teilbestand: 54289

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16.5 mOhm @ 30A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SI4368DY-T1-E3

Teilbestand: 80738

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel

SQJQ100EL-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJQ100EL-T1_GE3

Teilbestand: 54810

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.2 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel

SQ2310ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ2310ES-T1_GE3

Teilbestand: 108359

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 5A, 4.5V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SQM40022E_GE3

Teilbestand: 7937

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.63 mOhm @ 35A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SUM90220E-GE3

Teilbestand: 24530

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 64A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21.6 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel

SI4425DDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4425DDY-T1-GE3

Teilbestand: 199634

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 19.7A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.8 mOhm @ 13A, 10V,

Wunschzettel

Vishay Siliconix

SQM70060EL_GE3

Teilbestand: 59019

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.9 mOhm @ 30A, 10V,

Wunschzettel

SQP100N04-3M6_GE3

Vishay Siliconix

SQP100N04-3M6_GE3

Teilbestand: 5795

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.6 mOhm @ 30A, 10V,

Wunschzettel

SIR826ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR826ADP-T1-GE3

Teilbestand: 60175

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel

3600

«
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
»