Transistoren - JFETs | Diskrete Halbleiterprodukte | 4

2N4338-E3

Teilbestand: 3417

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 50V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 300mV @ 100nA,

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Vishay Siliconix

2N4338-2

Teilbestand: 3405

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 50V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 300mV @ 100nA,

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Vishay Siliconix

2N4119A-E3

Teilbestand: 3409

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA,

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2N4338

Teilbestand: 3466

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 50V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 300mV @ 100nA,

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Vishay Siliconix

2N4119A-2

Teilbestand: 3467

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA,

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2N4119A

Teilbestand: 3447

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA,

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2N4118A-E3

Teilbestand: 3421

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA,

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Vishay Siliconix

2N4118A-2

Teilbestand: 3469

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA,

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2N4117A-E3

Teilbestand: 3467

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1nA,

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2N4118A

Teilbestand: 3449

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA,

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2N4117A-2

Teilbestand: 3464

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1nA,

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U430

Teilbestand: 3454

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA,

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SST4119-T1-E3

Teilbestand: 3472

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA,

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SST204-E3

Teilbestand: 3473

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 300mV @ 10nA,

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SST5462-T1-E3

Teilbestand: 3451

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1.8V @ 1µA,

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U441-E3

Teilbestand: 3378

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA,

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SST4416-T1-E3

Teilbestand: 3392

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 1nA,

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SST4416-E3

Teilbestand: 5416

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 1nA,

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U431

Teilbestand: 3416

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA,

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U430-E3

Teilbestand: 3456

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA,

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SST5461-T1-E3

Teilbestand: 3416

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA,

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SST5484-E3

Teilbestand: 3467

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 300mV @ 10nA,

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SST174-E3

Teilbestand: 3491

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 5V @ 10nA,

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SST4118-T1-E3

Teilbestand: 3419

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA,

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U290

Teilbestand: 3416

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 3nA,

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U291-E3

Teilbestand: 3446

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1.5V @ 3nA,

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U440

Teilbestand: 3408

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA,

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SST201-T1-E3

Teilbestand: 3495

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 300mV @ 10nA,

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U440-E3

Teilbestand: 3482

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA,

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U310-E3

Teilbestand: 3448

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2.5V @ 1nA,

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SST5484-T1-E3

Teilbestand: 3522

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 300mV @ 10nA,

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Vishay Siliconix

SST5486-E3

Teilbestand: 3410

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA,

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SST204-T1-E3

Teilbestand: 3454

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 300mV @ 10nA,

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SST5485-E3

Teilbestand: 3434

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA,

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SST5486-T1-E3

Teilbestand: 3433

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA,

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Vishay Siliconix

SST174-T1-E3

Teilbestand: 3480

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 5V @ 10nA,

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