Transistoren - JFETs | Diskrete Halbleiterprodukte | 4

SST5485-T1-E3

Teilbestand: 3461

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA,

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Vishay Siliconix

U441

Teilbestand: 3399

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA,

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Vishay Siliconix

U290-E3

Teilbestand: 3464

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 3nA,

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Vishay Siliconix

U291

Teilbestand: 3399

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1.5V @ 3nA,

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