Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 18

SI4952DY-T1-GE3

Teilbestand: 3339

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

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SI3850ADV-T1-GE3

Teilbestand: 2805

FET-Typ: N and P-Channel, Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.4A, 960mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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SI4388DY-T1-E3

Teilbestand: 2702

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.7A, 11.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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SI6983DQ-T1-GE3

Teilbestand: 2899

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 400µA,

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SI5905DC-T1-GE3

Teilbestand: 2839

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 450mV @ 250µA (Min),

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SI5517DU-T1-E3

Teilbestand: 2805

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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SI4544DY-T1-GE3

Teilbestand: 2824

FET-Typ: N and P-Channel, Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

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SI4210DY-T1-GE3

Teilbestand: 124384

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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SI5903DC-T1-E3

Teilbestand: 2754

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 600mV @ 250µA (Min),

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SI6966DQ-T1-GE3

Teilbestand: 2838

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 250µA,

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SI1553DL-T1-GE3

Teilbestand: 2851

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 660mA, 410mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 385 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 600mV @ 250µA (Min),

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SI6969DQ-T1-E3

Teilbestand: 2898

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 450mV @ 250µA (Min),

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SI4561DY-T1-GE3

Teilbestand: 2816

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.8A, 7.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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SI1917EDH-T1-E3

Teilbestand: 2713

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 370 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 450mV @ 100µA (Min),

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SI4830ADY-T1-E3

Teilbestand: 2782

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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SIZ910DT-T1-GE3

Teilbestand: 77131

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

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SI4804BDY-T1-GE3

Teilbestand: 2795

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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SI5511DC-T1-E3

Teilbestand: 2730

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, 3.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

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SI9926BDY-T1-GE3

Teilbestand: 2824

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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SI5999EDU-T1-GE3

Teilbestand: 128567

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 59 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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SIA911EDJ-T1-GE3

Teilbestand: 2796

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 101 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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SI7940DP-T1-E3

Teilbestand: 2854

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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SI1972DH-T1-GE3

Teilbestand: 2790

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 225 mOhm @ 1.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.8V @ 250µA,

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SI4966DY-T1-E3

Teilbestand: 85796

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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SI4910DY-T1-GE3

Teilbestand: 2838

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

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SI4906DY-T1-E3

Teilbestand: 2797

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 39 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

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VQ1001P-2

Teilbestand: 2955

FET-Typ: 4 N-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 830mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.75 Ohm @ 200mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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SI4953ADY-T1-E3

Teilbestand: 3366

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 53 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

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SQ4946EY-T1-E3

Teilbestand: 2909

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 55 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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SI1551DL-T1-E3

Teilbestand: 3285

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 290mA, 410mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.9 Ohm @ 290mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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SI5947DU-T1-GE3

Teilbestand: 2813

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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VQ1006P-2

Teilbestand: 2934

FET-Typ: 4 N-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 90V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 400mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 Ohm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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SI4561DY-T1-E3

Teilbestand: 2835

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.8A, 7.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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SI6993DQ-T1-E3

Teilbestand: 2760

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 31 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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SI5905DC-T1-E3

Teilbestand: 2878

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 450mV @ 250µA (Min),

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SIA912DJ-T1-GE3

Teilbestand: 2835

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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