FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 500µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 113 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 800mV @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19.5 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.8V @ 250µA,
FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 180mA, 145mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 400mV @ 250µA (Min),
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA (Min),
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.8V @ 250µA,
FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 10.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,
FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 450mV @ 250µA (Min),
FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 87 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 485mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 168 mOhm @ 1.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 567 mOhm @ 400mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 3.7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.1 mOhm @ 18.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,
FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 144 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,
FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 490 mOhm @ 910mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 24A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 82 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 85 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 33 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,
FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20.1 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,
FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 250µA,
FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, 3.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 250µA,
FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, 9.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14.5 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,
FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 111 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,
FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.3A, 3.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 58 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 800mA (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 280 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,
