Dioden - Gleichrichter - Einzeln

Zuhause
Dioden - Gleichrichter - Einzeln

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4148W-G3-08

Teilbestand: 139220

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4937GP-E3/73

Teilbestand: 188370

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 200ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4151WS-E3-08

Teilbestand: 138136

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 50mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5820-E3/54

Teilbestand: 113520

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 475mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4934-E3/73

Teilbestand: 115810

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 200ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4148W-HE3-08

Teilbestand: 195633

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4003E-E3/73

Teilbestand: 143612

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007E-E3/73

Teilbestand: 199206

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5404-E3/54

Teilbestand: 115364

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4933-E3/54

Teilbestand: 102950

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 200ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4003-E3/54

Teilbestand: 180471

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5392-E3/54

Teilbestand: 138210

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5817-E3/54

Teilbestand: 130789

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4934-E3/54

Teilbestand: 124982

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 200ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5398-E3/54

Teilbestand: 113831

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4448TAP

Teilbestand: 196979

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 5mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 8ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5062TAP

Teilbestand: 143769

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 4µs,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4151TR

Teilbestand: 137434

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 50mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4154TR

Teilbestand: 180082

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 25V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004-E3/73

Teilbestand: 119978

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5399-E3/54

Teilbestand: 158992

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5408-E3/54

Teilbestand: 166188

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005-E3/73

Teilbestand: 139623

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4006-E3/73

Teilbestand: 124663

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4003-E3/73

Teilbestand: 187699

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002-E3/73

Teilbestand: 198153

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007-E3/53

Teilbestand: 153404

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002-E3/53

Teilbestand: 182889

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4148W-E3-08

Teilbestand: 110159

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

Wunschzettel

1N4148WS-HE3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4148WS-HE3-08

Teilbestand: 143877

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002-E3/54

Teilbestand: 158436

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005GP-E3/54

Teilbestand: 195750

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4151TAP

Teilbestand: 116687

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 50mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4150TAP

Teilbestand: 174267

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4148-P-TR

Teilbestand: 177808

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 8ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4448W-E3-08

Teilbestand: 140541

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 5mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

Wunschzettel

3600

«
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
»