Dioden - Gleichrichter - Einzeln | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

20TQ045STRR

Teilbestand: 135

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20TQ045STRL

Teilbestand: 100

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20TQ035STRR

Teilbestand: 176

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20TQ035STRL

Teilbestand: 155

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS12STRL

Teilbestand: 178

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 20A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS12STRR

Teilbestand: 130

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 20A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS08STRR

Teilbestand: 160

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 20A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF10STRL

Teilbestand: 94

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.31V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 400ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF10STRR

Teilbestand: 112

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.31V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 400ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF10FP

Teilbestand: 113

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.31V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 400ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF08STRR

Teilbestand: 151

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.31V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 400ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF08STRL

Teilbestand: 117

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.31V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 400ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF06STRR

Teilbestand: 5074

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 160ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF06STRL

Teilbestand: 116

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 160ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF02STRR

Teilbestand: 102

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 160ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF04STRL

Teilbestand: 5088

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 160ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF02STRL

Teilbestand: 146

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 160ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

200HFR80PV

Teilbestand: 90

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 628A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

200HFR120PV

Teilbestand: 155

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 628A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

200HFR40PV

Teilbestand: 107

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 628A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20L15T

Teilbestand: 132

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 15V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 410mV @ 19A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

243NQ100R

Teilbestand: 161

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 240A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 860mV @ 240A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

243NQ100

Teilbestand: 107

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 240A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 860mV @ 240A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

243NQ080

Teilbestand: 144

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 240A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 860mV @ 240A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

242NQ030R

Teilbestand: 152

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 240A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 510mV @ 240A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

242NQ030

Teilbestand: 159

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 240A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 510mV @ 240A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

241NQ045

Teilbestand: 97

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 240A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 690mV @ 240A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

241NQ045R

Teilbestand: 128

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 240A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 690mV @ 240A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

241NQ035

Teilbestand: 129

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 240A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 690mV @ 240A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

240NQ045R

Teilbestand: 163

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 240A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 610mV @ 240A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

240NQ045

Teilbestand: 131

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 240A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 610mV @ 240A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

240NQ040

Teilbestand: 5043

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 240A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 610mV @ 240A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

20TQ035S

Teilbestand: 76

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

200HF40PV

Teilbestand: 73

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 628A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

200HF80PV

Teilbestand: 119

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 628A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

200HF120PV

Teilbestand: 65

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 628A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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