Dioden - Gleichrichter - Einzeln | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

BYD13GGP-E3/54

Teilbestand: 5170

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 3µs,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13DGP-E3/54

Teilbestand: 985

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 3µs,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY520-14EHE3/54

Teilbestand: 994

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY520-16EHE3/54

Teilbestand: 993

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY500-200-E3/54

Teilbestand: 986

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 200ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ33-GS08

Teilbestand: 159944

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY398P-E3/54

Teilbestand: 960

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-150-TR

Teilbestand: 151017

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY448GPHE3/54

Teilbestand: 963

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 20µs,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV102-GS08

Teilbestand: 195083

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ334-TR

Teilbestand: 132198

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY396P-E3/54

Teilbestand: 957

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY397P-E3/54

Teilbestand: 997

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY299P-E3/54

Teilbestand: 927

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY298P-E3/54

Teilbestand: 921

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY297P-E3/54

Teilbestand: 995

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY254GP-E3/54

Teilbestand: 5102

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 3µs,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY254GPHE3/54

Teilbestand: 933

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 3µs,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY253GPHE3/54

Teilbestand: 910

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 3µs,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY253GP-E3/54

Teilbestand: 5164

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 3µs,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY252GPHE3/54

Teilbestand: 916

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 3µs,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY252GP-E3/54

Teilbestand: 938

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 3µs,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY251GPHE3/54

Teilbestand: 917

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 3µs,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-800HE3/81

Teilbestand: 942

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.85V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 145ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY251GP-E3/54

Teilbestand: 936

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 3µs,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-800-E3/81

Teilbestand: 925

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.85V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 145ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-600HE3/81

Teilbestand: 935

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.85V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 145ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-600-E3/81

Teilbestand: 971

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.85V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 145ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-400HE3/81

Teilbestand: 906

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.85V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 145ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-400-E3/81

Teilbestand: 5135

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.85V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 145ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-200HE3/81

Teilbestand: 993

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.85V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 145ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228GPHE3/54

Teilbestand: 988

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1500V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 2.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 20µs,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-200-E3/81

Teilbestand: 5138

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.85V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 145ns,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY227MGP-E3/54

Teilbestand: 923

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1250V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY206GPHE3/54

Teilbestand: 921

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 400mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1µs,

Wunschzettel

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY134GP-E3/54

Teilbestand: 914

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

Wunschzettel