Dioden - Gleichrichter - Einzeln | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

MUR460-E3/54

Teilbestand: 178053

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.28V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT1080S-M3/4W

Teilbestand: 155891

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 810mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SB520A-E3/73

Teilbestand: 191335

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

CS2J-E3/I

Teilbestand: 139007

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2.1µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

UF5405-E3/54

Teilbestand: 131445

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 500V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S2J-M3/52T

Teilbestand: 137339

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

CS2K-E3/I

Teilbestand: 101304

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2.1µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS210-M3/52T

Teilbestand: 111954

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.05V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SL22-E3/5BT

Teilbestand: 156936

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 440mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P6-M3/85A

Teilbestand: 139929

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 780mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P6HM3/84A

Teilbestand: 120291

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 780mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S2B-M3/52T

Teilbestand: 161547

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V35PWM60-M3/I

Teilbestand: 132863

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 770mV @ 35A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S2AHE3_A/I

Teilbestand: 146320

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP20D-E3/54

Teilbestand: 162225

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V35PWM10HM3/I

Teilbestand: 123790

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 35A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS29HE3_A/H

Teilbestand: 85

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P4HM3/84A

Teilbestand: 172745

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PDHM3/85A

Teilbestand: 112071

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30BQ100-M3/9AT

Teilbestand: 181910

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 790mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SB2K-M3/5BT

Teilbestand: 137102

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

UG1D-M3/54

Teilbestand: 103857

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VT1080S-M3/4W

Teilbestand: 147872

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 810mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2P2HM3/84A

Teilbestand: 167254

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT2060G-E3/4W

Teilbestand: 176493

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS32-M3/57T

Teilbestand: 177794

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT3080S-M3/4W

Teilbestand: 123737

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V35DM120-M3/I

Teilbestand: 109514

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6.3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.05V @ 35A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSB3L6S-M3/52T

Teilbestand: 186617

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 590mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V20120SG-E3/4W

Teilbestand: 122439

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.33V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS35-M3/9AT

Teilbestand: 178520

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S5D-M3/9AT

Teilbestand: 117759

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PWM45HM3/I

Teilbestand: 170980

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 660mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSC520S-M3/9AT

Teilbestand: 193446

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2H10-M3/5BT

Teilbestand: 118125

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 790mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

RS2D-M3/5BT

Teilbestand: 176322

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

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