Dioden - Gleichrichter - Einzeln

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Dioden - Gleichrichter - Einzeln

Vishay Semiconductor Diodes Division

RS2K-M3/5BT

Teilbestand: 153460

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3H10HE3_B/I

Teilbestand: 65

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

M3045S-E3/4W

Teilbestand: 116322

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3JHE3_A/H

Teilbestand: 169419

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 250ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3B-M3/57T

Teilbestand: 142325

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2P2-M3/84A

Teilbestand: 104781

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2PH6-M3/85A

Teilbestand: 145896

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

UG1D-M3/73

Teilbestand: 127418

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3A-E3/57T

Teilbestand: 170167

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

UG1B-M3/73

Teilbestand: 141140

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PMHM3/84A

Teilbestand: 160861

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT2080S-E3/4W

Teilbestand: 156691

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP20K-E3/73

Teilbestand: 106256

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

UG4A-M3/73

Teilbestand: 148887

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V30DM120-M3/I

Teilbestand: 123848

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.06V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

RS2J-E3/5BT

Teilbestand: 173455

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 250ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VI20100S-M3/4W

Teilbestand: 125384

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V20120S-E3/4W

Teilbestand: 130261

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.12V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2P3L-M3/85A

Teilbestand: 105729

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S5B-M3/9AT

Teilbestand: 190160

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

CS3J-E3/H

Teilbestand: 84

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2.8µs,

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SBYV28-200-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

SBYV28-200-E3/54

Teilbestand: 150395

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 20ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V30120SG-M3/4W

Teilbestand: 102514

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.28V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SB2K-M3/52T

Teilbestand: 170468

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

CS3J-E3/I

Teilbestand: 149871

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

UG4D-M3/73

Teilbestand: 168007

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S2M-M3/52T

Teilbestand: 117196

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SB520A-E3/54

Teilbestand: 105153

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT760-M3/4W

Teilbestand: 175366

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 7.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 7.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

UG1B-E3/73

Teilbestand: 139107

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SL23HE3_A/I

Teilbestand: 163627

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 395mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SB350-E3/73

Teilbestand: 149756

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

UG1A-E3/73

Teilbestand: 179218

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S3GHE3_A/H

Teilbestand: 109740

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS25HE3_A/H

Teilbestand: 137707

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

UG1C-E3/73

Teilbestand: 173736

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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