Dioden - Gleichrichter - Einzeln

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Dioden - Gleichrichter - Einzeln

Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PJHM3/85A

Teilbestand: 100588

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

UF1007-E3/54

Teilbestand: 186255

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3BHE3_A/I

Teilbestand: 156692

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

MSS1P6HM3_A/H

Teilbestand: 109

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PA10HM3/I

Teilbestand: 125

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 760mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VSSB410S-E3/5BT

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSB410S-E3/5BT

Teilbestand: 132852

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.9A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 770mV @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VI10150S-M3/4W

Teilbestand: 139157

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VSB2045Y-M3/73

Teilbestand: 132927

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SE50PAB-M3/I

Teilbestand: 110037

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.16V @ 5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2P4HM3/85A

Teilbestand: 197003

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S3KHE3_A/H

Teilbestand: 108879

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PW15HM3/I

Teilbestand: 184501

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.47V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF512HM3/H

Teilbestand: 134

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS32-M3/9AT

Teilbestand: 114835

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3H9-M3/9AT

Teilbestand: 129238

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS22-M3/5BT

Teilbestand: 190295

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF515-M3/I

Teilbestand: 105

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-3EJH01-M3/6A

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-3EJH01-M3/6A

Teilbestand: 104809

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 18ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2H9HE3_A/H

Teilbestand: 95

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 790mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PMHM3/85A

Teilbestand: 159169

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SB550A-E3/73

Teilbestand: 118189

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

UF1007-E3/73

Teilbestand: 182958

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VT3080S-M3/4W

Teilbestand: 119292

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF515HM3/H

Teilbestand: 95

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-10BQ100-M3/5BT

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10BQ100-M3/5BT

Teilbestand: 140931

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SB110-E3/54

Teilbestand: 142142

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 10V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 480mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3A-E3/9AT

Teilbestand: 133316

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

RS2DHE3_A/H

Teilbestand: 97

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2P2LHM3/84A

Teilbestand: 125587

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR1090-E3/4W

Teilbestand: 95961

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5M12HM3/I

Teilbestand: 96

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 890mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S3B-E3/9AT

Teilbestand: 153320

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1P3LHM3/85A

Teilbestand: 146430

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VI20120S-M3/4W

Teilbestand: 126411

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.12V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

UF4004-M3/54

Teilbestand: 125811

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PA15HM3/I

Teilbestand: 157

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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