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Dioden - Gleichrichter - Einzeln

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S1AFG-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1AFG-M3/6A

Teilbestand: 112349

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.47µs,

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VSSAF3M10-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF3M10-M3/H

Teilbestand: 100

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SS10P6HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P6HM3_A/I

Teilbestand: 182602

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 7A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 670mV @ 7A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S1AFK-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1AFK-M3/6A

Teilbestand: 171353

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.47µs,

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SS10PH45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10PH45HM3_A/I

Teilbestand: 141131

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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V15P6HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P6HM3_A/I

Teilbestand: 92

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 620mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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V8P8-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P8-M3/86A

Teilbestand: 188033

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 660mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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V8P15-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P15-M3/H

Teilbestand: 163

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.08V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-6ESH01-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6ESH01-M3/86A

Teilbestand: 177394

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 940mV @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 22ns,

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VT5202-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT5202-M3/4W

Teilbestand: 92742

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SE30PAGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SE30PAGHM3/I

Teilbestand: 178133

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.16V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.3µs,

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V15P8HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P8HM3_A/H

Teilbestand: 164

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 660mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S4PKHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PKHM3_A/I

Teilbestand: 101974

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2.5µs,

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SB2H100-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB2H100-E3/54

Teilbestand: 180596

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 790mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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V12P15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P15-M3/I

Teilbestand: 124

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.08V @ 12A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SS5P9HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS5P9HM3_A/I

Teilbestand: 128

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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V8P8HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P8HM3_A/H

Teilbestand: 171

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 660mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SS10P3HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P3HM3_A/I

Teilbestand: 157059

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 560mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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V8PAL45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PAL45-M3/I

Teilbestand: 128585

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SS3P6LHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P6LHM3_A/H

Teilbestand: 163508

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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V12P8-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P8-M3/87A

Teilbestand: 199224

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4.3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 660mV @ 12A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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V15P12HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P12HM3/H

Teilbestand: 107

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 810mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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V12P15HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P15HM3/H

Teilbestand: 128

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.08V @ 12A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VSSAF510HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF510HM3/H

Teilbestand: 142

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-2EJH02-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2EJH02-M3/6B

Teilbestand: 116384

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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VSSAF5M12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5M12-M3/I

Teilbestand: 68

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 890mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-2EJH01HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2EJH01HM3/6B

Teilbestand: 103724

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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VS-400UR160D
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-400UR160D

Teilbestand: 1361

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 400A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.62V @ 1500A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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VS-SD400N20PC
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-SD400N20PC

Teilbestand: 741

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 2000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 400A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.62V @ 1500A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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VSSAF510-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF510-M3/I

Teilbestand: 114

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SS1FN6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1FN6-M3/I

Teilbestand: 103

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 530mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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V10PM12-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PM12-M3/86A

Teilbestand: 160229

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3.9A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 830mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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V8PAN50-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PAN50-M3/I

Teilbestand: 188473

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3.7A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 420mV @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VSSAF5L45-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5L45-M3/6A

Teilbestand: 99042

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 560mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SE30PAG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SE30PAG-M3/I

Teilbestand: 119037

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.16V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.3µs,

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VSSAF512-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF512-M3/I

Teilbestand: 67

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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