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Dioden - Brückengleichrichter

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B4S-E3/80
Vishay Semiconductor Diodes Division

B4S-E3/80

Teilbestand: 136530

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 500mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

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B6S-E3/80
Vishay Semiconductor Diodes Division

B6S-E3/80

Teilbestand: 112949

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 500mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

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VS-130MT120KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-130MT120KPBF

Teilbestand: 1007

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 130A,

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GBU6K-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6K-E3/51

Teilbestand: 42409

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3.8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 6A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

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VS-GBPC2508A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GBPC2508A

Teilbestand: 12084

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2mA @ 800V,

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GBPC3504-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC3504-E4/51

Teilbestand: 15223

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

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VS-26MT140
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-26MT140

Teilbestand: 3700

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.4kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1400V,

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GBPC3506W-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC3506W-E4/51

Teilbestand: 15901

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

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GSIB2040-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB2040-E3/45

Teilbestand: 58999

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

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GBLA005-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA005-E3/51

Teilbestand: 145875

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

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GBLA10-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA10-E3/51

Teilbestand: 145840

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

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GBLA06-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA06-M3/51

Teilbestand: 126728

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

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GSIB15A20-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB15A20-E3/45

Teilbestand: 70190

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

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GBLA06-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA06-E3/51

Teilbestand: 145901

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

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GBL02-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBL02-M3/45

Teilbestand: 117629

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

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GSIB2020-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB2020-E3/45

Teilbestand: 59085

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

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GSIB6A40-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB6A40-E3/45

Teilbestand: 80213

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

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GBL04-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBL04-M3/51

Teilbestand: 117718

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

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GSIB640N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB640N-M3/45

Teilbestand: 64886

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

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GSIB2060N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB2060N-M3/45

Teilbestand: 54448

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

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GSIB2080N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB2080N-M3/45

Teilbestand: 54433

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

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GSIB15A60N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB15A60N-M3/45

Teilbestand: 60141

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel
GSIB1560N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB1560N-M3/45

Teilbestand: 54481

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

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GSIB6A60-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB6A60-E3/45

Teilbestand: 80174

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

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VS-130MT160KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-130MT160KPBF

Teilbestand: 952

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.6kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 130A,

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GSIB6A80N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB6A80N-M3/45

Teilbestand: 72896

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel
GBLA04-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA04-E3/45

Teilbestand: 156298

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

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G2SB60-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

G2SB60-E3/51

Teilbestand: 161664

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 750mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel
GBL06-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBL06-M3/51

Teilbestand: 117674

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel
VS-160MT80KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-160MT80KPBF

Teilbestand: 985

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 160A,

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LVE2560-M3/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

LVE2560-M3/P

Teilbestand: 60

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel
GSIB2040N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB2040N-M3/45

Teilbestand: 54515

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

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GSIB2520N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB2520N-M3/45

Teilbestand: 46376

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

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GSIB15A40N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB15A40N-M3/45

Teilbestand: 60143

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

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GSIB1520N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB1520N-M3/45

Teilbestand: 54486

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

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GBL10-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBL10-M3/45

Teilbestand: 117692

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

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