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Dioden - Brückengleichrichter

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G2SB80-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

G2SB80-E3/51

Teilbestand: 161616

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 750mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50µA @ 600V,

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GBLA01-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA01-E3/45

Teilbestand: 156252

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

Wunschzettel
GBLA02-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA02-E3/45

Teilbestand: 156262

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Avalanche, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel
GBLA10-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA10-M3/51

Teilbestand: 126691

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel
G2SB20-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

G2SB20-E3/51

Teilbestand: 112683

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 750mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel
G2SB20-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

G2SB20-E3/45

Teilbestand: 120678

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 750mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel
VS-70MT120KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70MT120KPBF

Teilbestand: 1124

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 70A,

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GSIB2020N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB2020N-M3/45

Teilbestand: 54493

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

Wunschzettel
GSIB660N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB660N-M3/45

Teilbestand: 64889

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel
GSIB1540N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB1540N-M3/45

Teilbestand: 54527

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel
VS-2KBB60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2KBB60

Teilbestand: 95325

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.9A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.9A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel
GBLA06-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA06-E3/45

Teilbestand: 156244

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

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VS-90MT120KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-90MT120KPBF

Teilbestand: 1197

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 90A,

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RMB2S-E3/80
Vishay Semiconductor Diodes Division

RMB2S-E3/80

Teilbestand: 156982

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

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LVE1560-M3/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

LVE1560-M3/P

Teilbestand: 64

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

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GBLA08-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA08-E3/45

Teilbestand: 156231

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

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GBL08-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBL08-M3/51

Teilbestand: 117707

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

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GBLA06-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA06-M3/45

Teilbestand: 126698

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

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GSIB6A80-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB6A80-E3/45

Teilbestand: 80200

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

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GBL10-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBL10-M3/51

Teilbestand: 117664

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

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GSIB6A20-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB6A20-E3/45

Teilbestand: 86428

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

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GSIB620N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB620N-M3/45

Teilbestand: 64923

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

Wunschzettel
GSIB6A40N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB6A40N-M3/45

Teilbestand: 72874

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

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G2SB60-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

G2SB60-M3/45

Teilbestand: 142421

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 750mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

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VS-2KBB10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2KBB10

Teilbestand: 39441

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.9A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.9A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 100V,

Wunschzettel
G2SB60-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

G2SB60-M3/51

Teilbestand: 132931

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 750mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel
GBL04-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBL04-E3/45

Teilbestand: 138924

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

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VS-2KBP10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2KBP10

Teilbestand: 57249

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A,

Wunschzettel
GBL01-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBL01-M3/45

Teilbestand: 117637

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

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MB2M-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MB2M-E3/45

Teilbestand: 162046

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

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G2SB80-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

G2SB80-E3/45

Teilbestand: 173208

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 750mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50µA @ 600V,

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G2SB60-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

G2SB60-E3/45

Teilbestand: 173154

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 750mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel
GBLA08-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA08-M3/45

Teilbestand: 126715

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

Wunschzettel
GSIB2560N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB2560N-M3/45

Teilbestand: 46473

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel
GSIB640-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB640-E3/45

Teilbestand: 76616

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

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GBLA01-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA01-E3/51

Teilbestand: 145863

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

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