Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz, Dazugewinnen: 10.5dB ~ 14dB, Leistung max: 600mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz, Dazugewinnen: 10dB ~ 13.5dB, Leistung max: 600mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz, Dazugewinnen: 10dB ~ 13.5dB, Leistung max: 600mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Leistung max: 3W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 13dB, Leistung max: 500mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 18dB, Leistung max: 500mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 14.5dB, Leistung max: 225mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 15.5dB, Leistung max: 225mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 15.5dB, Leistung max: 225mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 12.5dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 12.5dB ~ 14.5dB, Leistung max: 150mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 13.5dB ~ 15dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 12.5dB ~ 14dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 13dB, Leistung max: 100mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 14dB ~ 16dB, Leistung max: 100mW,
