| Art | Beschreibung |
| Teilestatus | Obsolete |
|---|---|
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 36A |
| Rds On (Max) @ ID, Vgs | 270 mOhm @ 18A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ ID | 5V @ 5mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 308nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8700pF @ 25V |
| Leistung max | 694W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Koffer | SP4 |
| Gerätepaket des Lieferanten | SP4 |
| RoHS-Status. | RoHS-konform |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
| Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
| Aktienkategorie | Lagerbestand |
