| Art | Beschreibung |
| Teilestatus | Active |
|---|---|
| FET-Typ | 4 N-Channel |
| FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 147A (Tc) |
| Rds On (Max) @ ID, Vgs | 17 mOhm @ 100A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ ID | 4V @ 30mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 332nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5576pF @ 1000V |
| Leistung max | 750W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Koffer | Module |
| Gerätepaket des Lieferanten | SP3 |
| RoHS-Status. | RoHS-konform |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
| Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
| Aktienkategorie | Lagerbestand |
