| Art | Beschreibung |
| Teilestatus | Active |
|---|---|
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 337A (Tc) |
| Rds On (Max) @ ID, Vgs | 11 mOhm @ 180A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ ID | 3V @ 9mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1224nC @ 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 1000V |
| Leistung max | 2140W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Koffer | Module |
| Gerätepaket des Lieferanten | Module |
| RoHS-Status. | RoHS-konform |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
| Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
| Aktienkategorie | Lagerbestand |
