Art | Beschreibung |
Teilestatus | Obsolete |
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Transistortyp | NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 12V |
Häufigkeit - Übergang | 8GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz |
Dazugewinnen | 10dB ~ 13.5dB |
Leistung max | 600mW |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 35mA, 8V |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 80mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Koffer | 4-SMD (35 micro-X) |
Gerätepaket des Lieferanten | 35 micro-X |
RoHS-Status. | RoHS-konform |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
Aktienkategorie | Lagerbestand |