Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

0912-7

Teilbestand: 542

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 8.5dB, Leistung max: 50W,

0910-60M

Teilbestand: 297

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 890MHz ~ 1GHz, Dazugewinnen: 8dB ~ 8.5dB, Leistung max: 180W,

0910-150M

Teilbestand: 271

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 890MHz ~ 1GHz, Dazugewinnen: 8.1dB ~ 8.5dB, Leistung max: 400W,

0510-50A

Teilbestand: 275

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 27V, Häufigkeit - Übergang: 500MHz ~ 1GHz, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 50W,

0912-45

Teilbestand: 506

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 8dB ~ 9dB, Leistung max: 225W,

0204-125

Teilbestand: 311

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Häufigkeit - Übergang: 225MHz ~ 400MHz, Dazugewinnen: 7dB ~ 8.5dB, Leistung max: 270W,

0105-50

Teilbestand: 7195

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 100MHz ~ 500MHz, Dazugewinnen: 8.5dB ~ 10dB, Leistung max: 140W,

0912-25

Teilbestand: 7104

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 8.5dB ~ 10dB, Leistung max: 125W,

1214-300M

Teilbestand: 262

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Häufigkeit - Übergang: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 88W,

1214-370M

Teilbestand: 211

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 75V, Häufigkeit - Übergang: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Dazugewinnen: 8.7dB ~ 9dB, Leistung max: 600W,

1014-12

Teilbestand: 453

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Häufigkeit - Übergang: 1GHz ~ 1.4GHz, Dazugewinnen: 6.8dB, Leistung max: 39W,

1014-6A

Teilbestand: 456

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Häufigkeit - Übergang: 1GHz ~ 1.4GHz, Dazugewinnen: 7dB ~ 7.5dB, Leistung max: 19W,

1214-110M

Teilbestand: 197

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 75V, Häufigkeit - Übergang: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Dazugewinnen: 7.4dB, Leistung max: 270W,

1517-110M

Teilbestand: 232

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V, Häufigkeit - Übergang: 1.48GHz ~ 1.65GHz, Dazugewinnen: 7.3dB ~ 8.6dB, Leistung max: 350W,

1517-20M

Teilbestand: 327

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.48GHz ~ 1.65GHz, Dazugewinnen: 7.6dB ~ 9.3dB, Leistung max: 175W,

1214-220M

Teilbestand: 229

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V, Häufigkeit - Übergang: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Dazugewinnen: 7.4dB, Leistung max: 700W,

1090MP

Teilbestand: 730

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 8.08dB ~ 8.5dB, Leistung max: 250W,

1214-55

Teilbestand: 299

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Häufigkeit - Übergang: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 175W,

1214-150L

Teilbestand: 225

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Dazugewinnen: 7.15dB ~ 8.7dB, Leistung max: 320W,

1035MP

Teilbestand: 640

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 10dB ~ 10.5dB, Leistung max: 125W,

1214-32L

Teilbestand: 285

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Häufigkeit - Übergang: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Dazugewinnen: 7.8dB ~ 8.9dB, Leistung max: 125W,

1214-30

Teilbestand: 297

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Häufigkeit - Übergang: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 88W,

10502

Teilbestand: 183

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Dazugewinnen: 8.5dB, Leistung max: 1458W,

1004MA

Teilbestand: 7314

1000MA

Teilbestand: 4803

10A015

Teilbestand: 849

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 24V, Häufigkeit - Übergang: 2.7GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 9.5dB, Leistung max: 6W,

10A030

Teilbestand: 839

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 24V, Häufigkeit - Übergang: 2.5GHz, Dazugewinnen: 7.8dB ~ 8.5dB, Leistung max: 13W,

1214-300

Teilbestand: 287

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Häufigkeit - Übergang: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 88W,

1015MP

Teilbestand: 890

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 10dB ~ 11dB, Leistung max: 50W,

1075MP

Teilbestand: 796

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 7.6dB ~ 8.5dB, Leistung max: 250W,

1004MP

Teilbestand: 938

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 7dB ~ 9dB, Leistung max: 7W,

1000MP

Teilbestand: 1076

Transistortyp: NPN, Häufigkeit - Übergang: 1.15GHz, Dazugewinnen: 10.8dB, Leistung max: 5.3W,

1002MP

Teilbestand: 1025

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 8.24dB ~ 11dB, Leistung max: 7W,

15GN03FA-TL-H

Teilbestand: 122361

15GN03MA-TL-E

Teilbestand: 127656

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 1.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.6dB @ 0.4GHz, Dazugewinnen: 13dB @ 0.4GHz, Leistung max: 400mW,

15GN03CA-TB-E

Teilbestand: 120477

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 1.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.6dB @ 0.4GHz, Dazugewinnen: 13dB @ 0.4GHz, Leistung max: 200mW,