| Art | Beschreibung |
| Teilestatus | Active |
|---|---|
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
| Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 30A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 15V |
| Rds On (Max) @ ID, Vgs | 90 mOhm @ 20A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @ ID | 4V @ 5mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 15V |
| Vgs (max.) | +19V, -8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 1000V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 113.6W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-247-4L |
| Paket / Koffer | TO-247-4 |
| RoHS-Status. | RoHS-konform |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
| Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
| Aktienkategorie | Lagerbestand |
