Art | Beschreibung |
Teilestatus | Active |
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FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 193A (Tc) |
Rds On (Max) @ ID, Vgs | 16 mOhm @ 120A, 20V |
Vgs(th) (Max) @ ID | 2.6V @ 6mA (Typ) |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 378nC @ 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6300pF @ 1000V |
Leistung max | 925W |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / Koffer | Module |
Gerätepaket des Lieferanten | Module |
RoHS-Status. | RoHS-konform |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
Aktienkategorie | Lagerbestand |