| Art | Beschreibung |
| Teilestatus | Active |
|---|---|
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 9.5A, 38A |
| Rds On (Max) @ ID, Vgs | 11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ ID | 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V |
| Leistung max | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Koffer | Die |
| Gerätepaket des Lieferanten | Die |
| RoHS-Status. | RoHS-konform |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
| Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
| Aktienkategorie | Lagerbestand |
