| Art | Beschreibung |
| Teilestatus | Active |
|---|---|
| FET-Typ | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| FET-Funktion | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V, 100V |
| Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 1.7A, 500mA |
| Rds On (Max) @ ID, Vgs | 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ ID | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
| Leistung max | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Koffer | 9-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 9-BGA (1.35x1.35) |
| RoHS-Status. | RoHS-konform |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
| Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
| Aktienkategorie | Lagerbestand |
