Art | Beschreibung |
Teilestatus | Active |
---|---|
FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Funktion | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 16A (Ta) |
Rds On (Max) @ ID, Vgs | 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V |
Vgs(th) (Max) @ ID | 2.5V @ 5mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 15V, 590pF @ 15V |
Leistung max | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Koffer | Die |
Gerätepaket des Lieferanten | Die |
RoHS-Status. | RoHS-konform |
---|---|
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
Aktienkategorie | Lagerbestand |