| Art | Beschreibung |
| Teilestatus | Active |
|---|---|
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 4A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ ID, Vgs | 100 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ ID | 1.5V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8nC @ 4.5V |
| Vgs (max.) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 273pF @ 10V |
| FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
| Verlustleistung (max.) | 1.7W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Gerätepaket des Lieferanten | MicroFET 3x3mm |
| Paket / Koffer | 6-WDFN Exposed Pad |
| RoHS-Status. | RoHS-konform |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
| Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
| Aktienkategorie | Lagerbestand |
