Art | Beschreibung |
Teilestatus | Active |
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FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 3A |
Rds On (Max) @ ID, Vgs | 120 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ ID | 1.3V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 435pF @ 10V |
Leistung max | 800mW |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Koffer | 6-VDFN Exposed Pad |
Gerätepaket des Lieferanten | 6-MicroFET (2x2) |
RoHS-Status. | RoHS-konform |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
Aktienkategorie | Lagerbestand |