Art | Beschreibung |
Teilestatus | Obsolete |
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FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 35V |
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 8A |
Rds On (Max) @ ID, Vgs | 24 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ ID | 2.6V @ 1mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 20V |
Leistung max | 2.2W |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Koffer | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Gerätepaket des Lieferanten | 8-SOP |
RoHS-Status. | RoHS-konform |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
Aktienkategorie | Lagerbestand |