Art | Beschreibung |
Teilestatus | Active |
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FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 58A |
Rds On (Max) @ ID, Vgs | - |
Vgs(th) (Max) @ ID | - |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Leistung max | - |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Koffer | 9-SMD Power Module |
Gerätepaket des Lieferanten | SMPD |
RoHS-Status. | RoHS-konform |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
Aktienkategorie | Lagerbestand |