| Art | Beschreibung |
| Teilestatus | Obsolete |
|---|---|
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 12V |
| Häufigkeit - Übergang | 2GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 5dB @ 200MHz |
| Dazugewinnen | 15dB |
| Leistung max | 350mW |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 3mA, 1V |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 50mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Koffer | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-92-3 |
| RoHS-Status. | RoHS-konform |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
| Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
| Aktienkategorie | Lagerbestand |
