| Art | Beschreibung |
| Teilestatus | Active |
|---|---|
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 29A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 18V |
| Rds On (Max) @ ID, Vgs | 156 mOhm @ 10A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ ID | 4V @ 3.3mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 18V |
| Vgs (max.) | +22V, -6V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 500V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 165W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-220AB |
| Paket / Koffer | TO-220-3 |
| RoHS-Status. | RoHS-konform |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
| Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
| Aktienkategorie | Lagerbestand |
