| Art | Beschreibung |
| Teilestatus | Active |
|---|---|
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1700V |
| Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 18V |
| Rds On (Max) @ ID, Vgs | 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ ID | 4V @ 410µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 18V |
| Vgs (max.) | +22V, -6V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 184pF @ 800V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 44W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-268 |
| Paket / Koffer | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| RoHS-Status. | RoHS-konform |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
| Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
| Aktienkategorie | Lagerbestand |
