SI5509DC-T1-GE3

SI5509DC-T1-GE3

EDA / CAD-Modelle:
SI5509DC-T1-GE3 PCB-Fußabdruck und -symbol
Lagerressource:
Fabriküberschüsse / Franchised Distributor
Garantie:
1 Jahr ENDEZO-Garantie
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 More info
Datasheet:
SKU: #cd1dd24b-05ef-742f-32ee-5d0530d17c83

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Produkteigenschaften

Art Beschreibung
Teilestatus
FET-Typ
FET-Funktion
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C
Rds On (Max) @ ID, Vgs
Vgs(th) (Max) @ ID
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
Leistung max
Betriebstemperatur
Befestigungsart
Paket / Koffer
Gerätepaket des Lieferanten

Umwelt- und Exportklassifizierungen

RoHS-Status. RoHS-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) Unzutreffend
Lebenszyklusstatus. Veraltet / Ende des Lebens
Aktienkategorie Lagerbestand

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