Erfassungsabstand: 1.5mm, Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 1.5mm, Erfassungsmethode: Reflective, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Ausgabetyp: Photodiode,
Erfassungsabstand: 0.050" (1.27mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 125mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Photodarlington,
Erfassungsabstand: 0.150" (3.81mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.300" (7.62mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Ausgabetyp: Transistor, Base-Emitter Resistor,
Erfassungsabstand: 0.200" (5.08mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 100mA, Ausgabetyp: Photodarlington,
Erfassungsabstand: 0.050" (1.27mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.149" (3.8mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.150" (3.81mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Ausgabetyp: Photodarlington,
Erfassungsabstand: 0.150" (3.81mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Ausgabetyp: Transistor,
Erfassungsabstand: 0.220" (5.59mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 24V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.236" (6mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.236" (6mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 30mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.039" (1mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 700mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 1mA, Ausgabetyp: Transistor,
Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 15mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.157" (4mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.039" (1mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.039" (1mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Photodarlington,
Erfassungsabstand: 0.031" (0.8mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Photodarlington,
Erfassungsabstand: 0.028" (0.7mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.028" (0.7mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Photodarlington,
Erfassungsabstand: 0.200" (5.08mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Photodarlington,
Erfassungsabstand: 0.040" (1.02mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.250" (6.35mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Photodarlington,
Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 60mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.2" (5.08mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 60mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
