Optische Sensoren - Reflektierend - Analogausgang

MTRS5900D

Teilbestand: 12999

Erfassungsabstand: 1.5mm, Erfassungsmethode: Reflective, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 30mA, Ausgabetyp: Photodiode,

MTRS6140D

Teilbestand: 15518

Erfassungsabstand: 1.5mm, Erfassungsmethode: Reflective, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 30mA, Ausgabetyp: Photodiode,

PC50CNP06RP

Teilbestand: 147

Erfassungsabstand: 236.2" (6m), Erfassungsmethode: Reflective,

PC50CNR10RP

Teilbestand: 122

Erfassungsabstand: 393.701" (10m), Erfassungsmethode: Reflective,

OPB70HWZ

Teilbestand: 21699

Erfassungsabstand: 0.150" (3.81mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Ausgabetyp: Transistor,

OPB70AWZ

Teilbestand: 18874

Erfassungsabstand: 0.150" (3.81mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Ausgabetyp: Darlington,

OPB747WZ

Teilbestand: 2766

Erfassungsabstand: 0.300" (7.62mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Ausgabetyp: Transistor, Base-Emitter Resistor,

OPB732WZ

Teilbestand: 15744

Erfassungsabstand: 3" (76.2mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

OPB608C

Teilbestand: 51641

Erfassungsabstand: 0.050" (1.27mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

OPB741W

Teilbestand: 2720

Erfassungsabstand: 0.150" (3.81mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

OPB70EWZ

Teilbestand: 18687

Erfassungsabstand: 0.150" (3.81mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Ausgabetyp: Transistor,

OPB742

Teilbestand: 33637

Erfassungsabstand: 0.150" (3.81mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

OPB743WZ

Teilbestand: 20862

Erfassungsabstand: 0.150" (3.81mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

OPB755NZ

Teilbestand: 2712

Erfassungsabstand: 0.220" (5.59mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 24V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

OPB701Z

Teilbestand: 7740

Erfassungsabstand: 0.200" (5.08mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 100mA, Ausgabetyp: Photodarlington,

OPR5005

Teilbestand: 21984

Erfassungsabstand: 0.050" (1.27mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

OPB744WZ

Teilbestand: 18838

Erfassungsabstand: 0.150" (3.81mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

OPB608R

Teilbestand: 47308

Erfassungsabstand: 0.050" (1.27mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

Z4D-A01

Teilbestand: 4329

Erfassungsabstand: 0.256" (6.5mm), Erfassungsmethode: Reflective,

EE-SB5-B

Teilbestand: 10268

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

ITR9909

Teilbestand: 149323

Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

ITR8307/L24/F43

Teilbestand: 163178

Erfassungsabstand: 0.039" (1mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

HOA0708-107

Teilbestand: 15421

Erfassungsabstand: 0.15" (3.8mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

HOA0149-500

Teilbestand: 2735

Erfassungsabstand: 0.15" (3.8mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

HOA0149-001

Teilbestand: 13019

Erfassungsabstand: 0.200" (5.08mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

CNB10010SL

Teilbestand: 2753

Erfassungsabstand: 0.039" (1mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

CNB2301

Teilbestand: 2755

Erfassungsabstand: 0.039" (1mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Photodarlington,

CNB10010LL

Teilbestand: 2692

Erfassungsabstand: 0.039" (1mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

CNY70

Teilbestand: 52694

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 32V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

QRD1114

Teilbestand: 39835

Erfassungsabstand: 0.050" (1.27mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

QRD1313

Teilbestand: 2740

Erfassungsabstand: 0.050" (1.27mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Photodarlington,

HEDS-1500

Teilbestand: 2754

Erfassungsabstand: 0.168" (4.27mm), Erfassungsmethode: Reflective, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Photodiode,

LTH-1550-01

Teilbestand: 183477

Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 60mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

GP2S24BJ000F

Teilbestand: 2701

Erfassungsabstand: 0.028" (0.7mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

GP2S40

Teilbestand: 2756

Erfassungsabstand: 0.256" (6.5mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

E2RA-RN11 2M

Teilbestand: 2681