Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.236" (6mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.028" (0.7mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Photodarlington,
Erfassungsabstand: 0.050" (1.27mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 125mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Photodarlington,
Erfassungsabstand: 0.150" (3.81mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Photodarlington,
Erfassungsabstand: 0.149" (3.8mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 6mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.150" (3.81mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Ausgabetyp: Photodarlington,
Erfassungsabstand: 0.150" (3.81mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Transistor, Base-Emitter Resistor,
Erfassungsabstand: 0.200" (5.08mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 24V, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 100mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.05" (1.27mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 24V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 1" (25.4mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.15" (3.8mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.050" (1.27mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 60mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.250" (6.35mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Photodarlington,
Erfassungsabstand: 0.250" (6.35mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.2" (5.08mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 393.701" (10m), Erfassungsmethode: Reflective,
Erfassungsabstand: 0.394" ~ 0.787" (10mm ~ 20mm) ADJ, Erfassungsmethode: Reflective, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: PIN Photodiode,
Erfassungsabstand: 0.210" (5.33mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.25V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100µA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 1.5mm, Erfassungsmethode: Reflective, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 60mA, Ausgabetyp: Photodiode,
Erfassungsabstand: 1.5mm, Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 30mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 30mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.039" ~ 0.197" (1mm ~ 5mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.118" (3mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 60mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.118" (3mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.098" (2.5mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.039" (1mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Reflective, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 100mA, Ausgabetyp: Photodiode,
Erfassungsabstand: 0.178" (4.5mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.079" ~ 0.866" (2mm ~ 22mm) ADJ, Erfassungsmethode: Reflective, Ausgabetyp: Photodiode,
