Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

2N5139

Teilbestand: 7046

2N4250A

Teilbestand: 6987

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V,

2N4916

Teilbestand: 7036

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 1V,

2N4250

Teilbestand: 6992

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V,

2N3690

Teilbestand: 6999

2N3646

Teilbestand: 7071

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 300mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV,

2N3640

Teilbestand: 7038

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 300mV,

2N3565

Teilbestand: 7032

2N3563

Teilbestand: 7012

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V,

2N3564

Teilbestand: 7011

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 15mA, 10V,

2N4013

Teilbestand: 27317

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1.7µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V,

2N3117

Teilbestand: 18319

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10µA, 5V,

2N4036 W/GOLD

Teilbestand: 6898

2N4033 W/GOLD

Teilbestand: 6923

2N2907A W/GOLD

Teilbestand: 6895

2N5194

Teilbestand: 6960

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V,

2N5195 SL H

Teilbestand: 6970

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V,

2N5192R

Teilbestand: 6917

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V,

2N5192 SL H

Teilbestand: 6944

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V,

2N2484

Teilbestand: 18390

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10µA, 5V,

2N1711

Teilbestand: 34721

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

2N3250

Teilbestand: 37068

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V,

2N3417 APM

Teilbestand: 141501

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V,

2N3393

Teilbestand: 9170

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 2mA, 4.5V,

2N4126

Teilbestand: 166458

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

2N3964

Teilbestand: 21929

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V,

2N3392

Teilbestand: 9947

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2mA, 4.5V,

2N5210

Teilbestand: 162819

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V,

2N4033

Teilbestand: 34787

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

2N3708

Teilbestand: 128471

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 1mA, 5V,

2N3417

Teilbestand: 12201

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V,

2N3440

Teilbestand: 32876

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 250V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V,

2N2369A

Teilbestand: 32929

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 400nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 350mV,

2N3905

Teilbestand: 128544

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V,

2N2219A

Teilbestand: 32882

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

2N3702

Teilbestand: 14039

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50µA, 5V,