Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

Diodes Incorporated

DMT10H015LCG-7

Teilbestand: 176205

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMP2066LDMQ-7

Teilbestand: 129269

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 4.6A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMN1004UFDF-13

Teilbestand: 219

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.8 mOhm @ 15A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMN3025LFG-7

Teilbestand: 167612

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 7.8A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMG7401SFG-13

Teilbestand: 150340

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 20V,

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Diodes Incorporated

DMP2021UFDE-7

Teilbestand: 124820

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.1A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 7A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMN3025LFG-13

Teilbestand: 156426

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 7.8A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN4010LFG-13

Teilbestand: 132236

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 14A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMT2004UFDF-13

Teilbestand: 165749

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14.1A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 mOhm @ 9A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMP3018SFK-13

Teilbestand: 154411

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14.5 mOhm @ 9.5A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMP3036SFG-13

Teilbestand: 123244

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN6013LFG-7

Teilbestand: 134023

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.3A (Ta), 45A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMPH4015SK3-13

Teilbestand: 164006

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 45A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 9.8A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMG7401SFG-7

Teilbestand: 191904

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 20V,

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Diodes Incorporated

DMP2010UFG-13

Teilbestand: 118346

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12.7A (Ta), 42A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.5 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMP2023UFDF-13

Teilbestand: 102828

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 27 mOhm @ 7A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMP6050SFG-7

Teilbestand: 181209

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V,

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DMP25H18DLFDE-7

Diodes Incorporated

DMP25H18DLFDE-7

Teilbestand: 118923

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 260mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 3.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

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Diodes Incorporated

DMPH3010LK3-13

Teilbestand: 191392

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 mOhm @ 10A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN4020LFDE-13

Teilbestand: 124437

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN3008SFGQ-7

Teilbestand: 181227

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17.6A (Ta), 62A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.4 mOhm @ 13.5A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMP3035SFG-7

Teilbestand: 141579

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN2028UFDF-13

Teilbestand: 157372

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.9A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 4A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMG4N65CTI

Teilbestand: 74019

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 Ohm @ 2A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN6040SVTQ-13

Teilbestand: 136899

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 44 mOhm @ 4.3A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMTH3002LPS-13

Teilbestand: 135924

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

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DMTH6010LPSQ-13

Diodes Incorporated

DMTH6010LPSQ-13

Teilbestand: 116038

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13.5A (Ta), 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMTH4005SPS-13

Teilbestand: 158546

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20.9A (Ta), 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.7 mOhm @ 50A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMG2301L-13

Teilbestand: 148665

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMN2026UVT-13

Teilbestand: 134578

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.2A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 6.2A, 4.5V,

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DMN10H170SVTQ-13

Diodes Incorporated

DMN10H170SVTQ-13

Teilbestand: 134895

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 160 mOhm @ 5A, 10V,

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DMTH6005LPSQ-13

Diodes Incorporated

DMTH6005LPSQ-13

Teilbestand: 104297

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20.6A (Ta), 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.5 mOhm @ 50A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN67D7L-13

Teilbestand: 289

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 210mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Diodes Incorporated

DMG2302UK-13

Teilbestand: 105644

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

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DMTH6004LPSQ-13

Diodes Incorporated

DMTH6004LPSQ-13

Teilbestand: 89420

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.1 mOhm @ 25A, 10V,

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DMT10H015LPS-13

Diodes Incorporated

DMT10H015LPS-13

Teilbestand: 156954

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 20A, 10V,

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