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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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DMN2004K-7
Diodes Incorporated

DMN2004K-7

Teilbestand: 155745

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 630mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V,

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DMP2160UW-7
Diodes Incorporated

DMP2160UW-7

Teilbestand: 199493

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

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DMG1012T-7
Diodes Incorporated

DMG1012T-7

Teilbestand: 199063

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 630mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V,

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DMN3404L-7
Diodes Incorporated

DMN3404L-7

Teilbestand: 173192

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 3V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 5.8A, 10V,

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ZXMP6A13FTA
Diodes Incorporated

ZXMP6A13FTA

Teilbestand: 115075

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 900mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 400 mOhm @ 900mA, 10V,

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DMN2990UFA-7B
Diodes Incorporated

DMN2990UFA-7B

Teilbestand: 183183

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 510mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V,

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DMN63D8LW-13
Diodes Incorporated

DMN63D8LW-13

Teilbestand: 156331

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 380mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.8 Ohm @ 250mA, 10V,

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DMP2008UFG-7
Diodes Incorporated

DMP2008UFG-7

Teilbestand: 160456

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 mOhm @ 12A, 4.5V,

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DMN2300UFB4-7B
Diodes Incorporated

DMN2300UFB4-7B

Teilbestand: 128741

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 175 mOhm @ 300mA, 4.5V,

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DMN1019UFDE-7
Diodes Incorporated

DMN1019UFDE-7

Teilbestand: 172216

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V,

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DMN65D8L-7
Diodes Incorporated

DMN65D8L-7

Teilbestand: 181374

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 310mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 Ohm @ 115mA, 10V,

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DMN3065LW-7
Diodes Incorporated

DMN3065LW-7

Teilbestand: 170419

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 52 mOhm @ 4A, 10V,

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DMG3420U-7
Diodes Incorporated

DMG3420U-7

Teilbestand: 123813

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.47A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 10V,

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DMG2302UK-7
Diodes Incorporated

DMG2302UK-7

Teilbestand: 169896

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

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DMG2307L-7
Diodes Incorporated

DMG2307L-7

Teilbestand: 136538

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 10V,

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DMN60H4D5SK3-13
Diodes Incorporated

DMN60H4D5SK3-13

Teilbestand: 129490

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 Ohm @ 1A, 10V,

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