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Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased

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DDTA123ECA-7-F
Diodes Incorporated

DDTA123ECA-7-F

Teilbestand: 167434

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

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DDTC124GKA-7-F
Diodes Incorporated

DDTC124GKA-7-F

Teilbestand: 1901

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

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DDTD142JU-7-F
Diodes Incorporated

DDTD142JU-7-F

Teilbestand: 100187

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 470 Ohms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

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DDTC142JE-7-F
Diodes Incorporated

DDTC142JE-7-F

Teilbestand: 125307

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 470 Ohms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V,

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DDTC143XKA-7-F
Diodes Incorporated

DDTC143XKA-7-F

Teilbestand: 1911

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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DDTA114GUA-7
Diodes Incorporated

DDTA114GUA-7

Teilbestand: 2028

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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DDTC114EUA-7
Diodes Incorporated

DDTC114EUA-7

Teilbestand: 1982

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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DDTA124EKA-7-F
Diodes Incorporated

DDTA124EKA-7-F

Teilbestand: 3266

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

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DDTC114WUA-7-F
Diodes Incorporated

DDTC114WUA-7-F

Teilbestand: 155429

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V,

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DDTA124TKA-7-F
Diodes Incorporated

DDTA124TKA-7-F

Teilbestand: 1887

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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DDTA114EUA-7
Diodes Incorporated

DDTA114EUA-7

Teilbestand: 3206

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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DDTA125TUA-7-F
Diodes Incorporated

DDTA125TUA-7-F

Teilbestand: 160063

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 200 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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DDTC113TKA-7-F
Diodes Incorporated

DDTC113TKA-7-F

Teilbestand: 2030

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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DDTC144TE-7-F
Diodes Incorporated

DDTC144TE-7-F

Teilbestand: 153599

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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DDTC144GUA-7-F
Diodes Incorporated

DDTC144GUA-7-F

Teilbestand: 193259

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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DDTC123EKA-7-F
Diodes Incorporated

DDTC123EKA-7-F

Teilbestand: 2009

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

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DDTC114YKA-7-F
Diodes Incorporated

DDTC114YKA-7-F

Teilbestand: 1872

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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DDTC124TUA-7-F
Diodes Incorporated

DDTC124TUA-7-F

Teilbestand: 9964

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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DDTC115TKA-7-F
Diodes Incorporated

DDTC115TKA-7-F

Teilbestand: 3219

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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DDTB123YC-7-F
Diodes Incorporated

DDTB123YC-7-F

Teilbestand: 172305

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

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DDTC113TLP-7
Diodes Incorporated

DDTC113TLP-7

Teilbestand: 114177

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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DDTB122LC-7-F
Diodes Incorporated

DDTB122LC-7-F

Teilbestand: 134041

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 220 Ohms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

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DDTC114YLP-7
Diodes Incorporated

DDTC114YLP-7

Teilbestand: 129209

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 5V,

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DDTA113ZUA-7-F
Diodes Incorporated

DDTA113ZUA-7-F

Teilbestand: 9997

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

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DDTA123YUA-7-F
Diodes Incorporated

DDTA123YUA-7-F

Teilbestand: 115012

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

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DDTC113TE-7-F
Diodes Incorporated

DDTC113TE-7-F

Teilbestand: 104735

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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DDTB113EU-7-F
Diodes Incorporated

DDTB113EU-7-F

Teilbestand: 129136

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 1 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

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DDTC122TU-7-F
Diodes Incorporated

DDTC122TU-7-F

Teilbestand: 142141

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 220 Ohms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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DDTC115GE-7-F
Diodes Incorporated

DDTC115GE-7-F

Teilbestand: 164377

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Emitterbasis (R2): 100 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

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DDTA143XE-7-F
Diodes Incorporated

DDTA143XE-7-F

Teilbestand: 137246

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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DDTA143ZCA-7-F
Diodes Incorporated

DDTA143ZCA-7-F

Teilbestand: 173230

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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DDTA142TU-7-F
Diodes Incorporated

DDTA142TU-7-F

Teilbestand: 118724

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 470 Ohms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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DDTA143XUA-7-F
Diodes Incorporated

DDTA143XUA-7-F

Teilbestand: 146313

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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DDTC114TE-7-F
Diodes Incorporated

DDTC114TE-7-F

Teilbestand: 9903

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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DDTA114GKA-7-F
Diodes Incorporated

DDTA114GKA-7-F

Teilbestand: 1907

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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DDTA123JE-7-F
Diodes Incorporated

DDTA123JE-7-F

Teilbestand: 158931

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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